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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK0620(2SK620) |
| 英文描述： | 2SK0620 (2SK620) - N-Channel MOS FET |
| 中文描述： | 2SK0620（2SK620） - N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/3頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 195K |
| 代理商： | 2SK0620(2SK620) |
2SK0601
2
SJF00018BJD
R
DS(on)
T
a
Y
fs
V
GS
C
iss
, C
oss
, C
rss
V
DS
R
DS(on)
V
GS
P
D
T
a
I
D
V
DS
I
D
V
GS
T
a
(
°
C)
D
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
20
40
60
80
160
120
100
140
0
Copper plate at the Drain is
more than 1 cm
2
in area,
1.7 mm in thickness.
V
DS
(V)
D
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
2
4
6
8
10
0
T
a
=
25
°
C
V
GS
=
5.5 V
5 V
4.5 V
4 V
3.5 V
3 V
V
GS
(V)
D
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
2
4
6
8
10
0
V
DS
=
10 V
T
a
=
25
°
C
V
GS
(V)
600
500
400
300
200
100
0
1
2
3
4
5
6
0
Y
f
V
DS
=
15 V
f
=
1 kHz
T
a
=
25
°
C
V
DS
(V)
(
)
(
)
(
)
i
o
r
120
100
80
60
40
20
0
3
10
30
100
300
1
000
1
V
GS
=
0
f
=
1 MHz
T
a
=
25
°
C
C
iss
C
oss
C
rss
V
GS
(V)
D
)
6
5
4
3
2
1
0
4
8
12
16
20
0
T
a
=
75
°
C
I
D
=
500 mA
25
°
C
25
°
C
T
a
(
°
C)
D
)
6
5
4
3
2
1
0
50
25
0
25
50
75
I
D
=
500 mA
V
GS
=
5 V
10 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK0655(2SK655) | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK0656(2SK656) | 小信號(hào)デバイス － 小信號(hào)FET － MOS FET |
| 2SK0657(2SK657) | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK0662(2SK662) | Small-signal device - Small-signal FETs - Junction FETs |
| 2SK0663(2SK663) | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK0655 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:For Switching |
| 2SK0655(2SK655) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:小信號(hào)デバイス － 小信號(hào)FET － MOS FET |
| 2SK0656 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:For Switching |
| 2SK0656(2SK656) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:小信號(hào)デバイス － 小信號(hào)FET － MOS FET |
| 2SK0657 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:For Switching |
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