參數(shù)資料
型號： 2SK032
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大小： 40K
代理商： 2SK032
2SK1056, 2SK1057, 2SK1058
6
Switching Time vs. Drain Current
500
200
100
50
20
10
5
0.1
0.2
0.5
1.0
2
10
Drain Current I
D
(A)
5
S
t
on
t
off
Output
R
L
= 2
20 V
50
Input
PW = 50
μ
s
duty ratio
= 1 %
Switching Time Test Circuit
90 %
10 %
90 %
10 %
Output
Input
t
on
t
off
Waveforms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK0374(2SK374) Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SK1056 Silicon N-Channel MOS FET
2SK1057 Silicon N-Channel MOS FET
2SK1058 Silicon N-Channel MOS FET
2SK0601(2SK601) 小信號デバイス － 小信號FET － MOS FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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2SK060100L 功能描述:MOSFET N-CH 80V 500MA MINI-PWR RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK0601G0L 功能描述:MOSFET N-CH 80V .5A MINIP-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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