參數(shù)資料
型號： 2SJ649
元件分類： JFETs
英文描述： 20 A, 60 V, 0.075 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： ISOLATED, TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 204K
代理商： 2SJ649
Data Sheet D16332EJ1V0DS
3
2SJ649
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
dT
-
P
e
rc
ent
age
of
Rat
ed
P
o
w
e
r-
%
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125
150
175
TC - Case Temperature -
°C
P
T
-
Tot
a
lP
o
w
e
rDi
s
ipat
ion
-
W
0
5
10
15
20
25
30
0
25
50
75
100
125
150
175
TC - Case Temperature -
°C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
ID
-
Drai
n
Current
-
A
- 0.1
- 1
- 10
- 100
- 0.1
- 1
- 10
- 100
RDS(on) Limited
(at VGS =
10 V)
10 ms
DC
1 ms
PW = 100
s
ID(pulse)
ID(DC)
Single pulse
TC = 25
°C
VDS - Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
rth
(t
)-
Trans
ient
Therm
a
lRes
is
tanc
e
-
°C/
W
0.01
0.1
1
10
100
Rth(ch-C) = 5.0
°C/W
Rth(ch-A) = 62.5
°C/W
Single pulse
PW - Pulse Width - s
10
100
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1000
相關PDF資料
PDF描述
2SJ651 20 A, 60 V, 0.092 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
2SJ663-TL 9 A, 100 V, 0.45 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SJ664 17 A, 100 V, 0.193 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SJ664-TL 17 A, 100 V, 0.193 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SJ666 36 A, 100 V, 0.07 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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2SJ650 功能描述:MOSFET P-CH 60V 12A TO-220ML RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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2SJ651_03 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC / DC Converter Applications
2SJ651-S 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
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