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參數(shù)資料
| 型號： | 2SJ279 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅P通道MOS FET的性（P溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 7/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 64K |
| 代理商： | 2SJ279 |
2SJ279(L), 2SJ279(S)
7
500
200
100
50
20
10
5
–0.5
–1
–2
–5
–10
td
(off)
td
(on)
tf
tr
Drain Current I (A)
S
DD
<
V = –10 V , V –30 V
PW = 2μs , duty 1 %
Switching Characteristics
=
500
200
100
50
20
10
5
–0.5
–1
–2
–5
–10
Reverse Drain Current I (A)
R
di/dt = 50 A/μs , V = 0
Ta = 25°C
Body to Drain Diode Reverse Recovery Time
r
10000
3000
1000
300
100
30
10
0
–10
–20
–30
–40
–50
Ciss
Coss
Crss
V = 0
f = 1 MHz
Drain to Source Voltage V (V)
C
Typical Capacitance vs. Drain to Source Voltage
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ279L | Silicon P Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 2SJ279S | Silicon P Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 2SJ280(L) | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-262AA |
| 2SJ280(S) | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SJ281FA | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-252VAR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SJ279(L) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-251AA |
| 2SJ279(S) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA |
| 2SJ280 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:SILICON P-CHANNEL MOS FET |
| 2SJ280(L) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-262AA |
| 2SJ280(S) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB |
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