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參數(shù)資料
| 型號： | 2SJ279 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅P通道MOS FET的性（P溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 4/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 64K |
| 代理商： | 2SJ279 |
2SJ279(L), 2SJ279(S)
4
40
30
20
10
0
C
50
100
150
200
Case Temperature Tc (°C)
Power vs. Temperature Derating
–30
–20
–10
–5
–2
–1
–0.5
–0.3
–1
–2
–5
–10 –20
–50 –100
10μs
100μ
PW=10m 1Sho)
DCOpeaion(Tc=25C
Ta = 25°C
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
Opeaion
DS(on
lmtedb R
Maximum Safe Operation Area
–10
–8
–6
–4
–2
0
–2
–4
–6
–8
–10
–10V –5V
V = –2.5 V
–4V
–3.5V
–3V
Pulse Test
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
Typical Output Characteristics
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ279L | Silicon P Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 2SJ279S | Silicon P Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 2SJ280(L) | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-262AA |
| 2SJ280(S) | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SJ281FA | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-252VAR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SJ279(L) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-251AA |
| 2SJ279(S) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA |
| 2SJ280 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:SILICON P-CHANNEL MOS FET |
| 2SJ280(L) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-262AA |
| 2SJ280(S) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB |
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