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參數(shù)資料
| 型號： | 2SJ244 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | SMALL SIGNAL, FET |
| 封裝： | UPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 43K |
| 代理商： | 2SJ244 |
2SJ244
3
0
0.5
1.0
1.5
2.0
50
100
150
200
Ambient Temperature
Ta ( °C )
Channel
Power
Dissipation
Pch
(
W
)
(on
the
alumina
ceramic
board)
Maximum Channel Power Dissipation Curve
-0.1
-0.3
-1.0
-3
-10
-30
-100
-0.01
-0.03
-0.1
-0.3
-1.0
-3
-10
Drain to Source Voltage V
(V)
DS
Drain
Current
I
(
A
)
D
Operation in this Area
is limited by RDS(on)
PW = 1 ms 1 shot
**on the alumina
ceramic board
DC
Operation
(Ta=25°C)
Maximum Safe Operation Area
0
-2
-4
-6
-8
-10
Drain to Source Voltage
V
( V )
DS
-5
-4
-3
-2
-1
Drain
Current
I
(
A
)
D
V
= -1.5 V
GS
-2
-2.5
-3
-3.5
- 4.5
-5
-4
Pulse Test
Typical Output Characteristics
0-1
-3
-4
-5
-4
-3
-2
-1
-2
Gate to Source Voltage
V
( V )
GS
Drain
Current
I
(
A
)
D
Ta = -25 °C
+25
+75
V
= -5 V
DS
Pulse Test
Typical Forward Transfer Characteristics
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ246(S) | 7 A, 30 V, 0.31 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ246(S) | 7 A, 30 V, 0.31 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ246(S)TR | 7 A, 30 V, 0.31 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ246(L) | 7 A, 30 V, 0.31 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ247-E | 8 A, 100 V, 0.45 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SJ244JYTL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET |
| 2SJ244JYTR-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET |
| 2SJ245 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:SILICON P-CHANNEL MOS FET |
| 2SJ245(L) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-251AA |
| 2SJ245(S) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA |
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