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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SH30 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching |
| 中文描述： | 硅?通道高速I(mǎi)GBT的功率開(kāi)關(guān) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 43K |
| 代理商： | 2SH30 |
2SH30
5
Gate Charge Qg (nc)
C
C
G
G
Dynamic Input Characteristics
Collector Current I (A)
S
Switching Characteristics
Gate Resistance Rg ( )
S
Switching Characteristics
Case Temperature Tc (°C)
S
Switching Characteristics
500
400
300
200
100
0
20
16
12
8
4
40
80
120
160
200
0
1000
200
500
100
20
10
50
1
2
10
20
V = 200 V
300 V
400 V
V = 400 V
300 V
200 V
I = 50 A
V
CE
V
GE
5
tf
r
d(on)
t
d(off)
t
V = 300V, V = ±15 V
Rg = 50 , Ta = 25°C
5000
3000
1000
300
30
10
100
1000
200
500
100
20
10
50
25
50
75
100
125
1
3
10
30
100
300
tf
r
d(on)
t
d(off)
t
I = 50A, R = 6
V = ±15 V
tf
r
d(on)
t
d(off)
t
I = 50A, R = 6
V = ±15 V, Rg = 50
50
100
500
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SH31 | Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching |
| 2SJ113 | SILICON P-CHANNEL MOS FET |
| 2SJ116 | SILICON P-CHANNEL MOS FET |
| 2SJ117 | Silicon P-Channel MOS FET |
| 2SJ130 | Silicon P Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SH31 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching |
| 2SHA04IDC | 制造商:ADAM-TECH 制造商全稱:Adam Technologies, Inc. 功能描述:HEADER & HOUSING SYSTEMS |
| 2SHA04TR | 制造商:ADAM-TECH 制造商全稱:Adam Technologies, Inc. 功能描述:HEADER & HOUSING SYSTEMS |
| 2SHA04TS | 制造商:ADAM-TECH 制造商全稱:Adam Technologies, Inc. 功能描述:HEADER & HOUSING SYSTEMS |
| 2SHA05IDC | 制造商:ADAM-TECH 制造商全稱:Adam Technologies, Inc. 功能描述:HEADER & HOUSING SYSTEMS |
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