- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370095 > 2SH30 (Hitachi,Ltd.) Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SH30 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching |
| 中文描述： | 硅?通道高速IGBT的功率開關(guān) |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 43K |
| 代理商： | 2SH30 |
2SH30
3
Main Characteristics
C
Case Temperature Tc (
°
C)
Power vs. Temperature Derating
160
120
80
40
00
50
100
150
200
Reverse Bias SOA
Collector to Emitter Voltage V (V)
C
C
0
200
400
600
800
20
5
10
2
0.5
1
0.2
0.1
50
Tc = 25
°
C
100
Typical Output Characteristics
Collector to Emitter Voltage V (V)
C
50
40
30
20
10
0
2
4
6
8
10
V = 8 V
C
9 V
12 V
Pulse Test
15 V
11 V
10 V
Collector to Emitter Voltage V (V)
C
C
Maximum Safe Operation Area
100
30
10
1
3
10
30
100
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
300
1000
100
μ
s
1m
PW=1 m 1ht
DCOeao T 5
°
C
Ta = 25
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SH31 | Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching |
| 2SJ113 | SILICON P-CHANNEL MOS FET |
| 2SJ116 | SILICON P-CHANNEL MOS FET |
| 2SJ117 | Silicon P-Channel MOS FET |
| 2SJ130 | Silicon P Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SH31 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching |
| 2SHA04IDC | 制造商:ADAM-TECH 制造商全稱:Adam Technologies, Inc. 功能描述:HEADER & HOUSING SYSTEMS |
| 2SHA04TR | 制造商:ADAM-TECH 制造商全稱:Adam Technologies, Inc. 功能描述:HEADER & HOUSING SYSTEMS |
| 2SHA04TS | 制造商:ADAM-TECH 制造商全稱:Adam Technologies, Inc. 功能描述:HEADER & HOUSING SYSTEMS |
| 2SHA05IDC | 制造商:ADAM-TECH 制造商全稱:Adam Technologies, Inc. 功能描述:HEADER & HOUSING SYSTEMS |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。