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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD613PE |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 6 A, 85 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 封裝： | TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 27K |
| 代理商： | 2SD613PE |
2SB633P/2SD613P
No.6662-2/4
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
DC Current Gain
hFE1VCE=(--)5V, IC=(--)1A
40*
320*
hFE2VCE=(--)5V, IC=(--)3A
20
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)5V, IC=(--)1A
15
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=(--)10V, f=1MHz
(150)110
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)4A, IB=(--)0.4A
(--)2.0
V
Base-to-Emitter Voltage
VBE
VCE=(--)5V, IC=(--)1A
(--)1.5
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)5mA, IE=0
(--)100
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)5mA, RBE=∞
(--)85
V
IC=(--)50mA, RBE=∞
(--)85
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)5mA, IC=0
(--)6
V
Turn-ON Time
ton
See specified test circuit.
(0.16)0.28
s
Fall Time
tf
See specified test circuit.
(0.33)0.50
s
Storage Time
tstg
See specified test circuit.
(1.45)3.60
s
* : The 2SB633P / 2SD613P are classified by 1A hFE as follows :
Rank
DE
F
hFE
60 to 120
100 to 200
160 to 320
Swicthing Time Test Circuit
0
--10
--20
--30
--40
--50
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
IT02142
--5
--2
--4
--3
--1
IB=0
--60mA
--10mA
--20mA
--40mA
--100mA
--80mA
2SB633P
0
1020304050
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
IT02143
5
2
4
3
1
IB=0
60mA
100mA
80mA
40mA
20mA
10mA
2SD613P
200VR
1
VCC=20V
VBE= --2V
51
INPUT
OUTPUT
20
1
F1F
PW=20
s
IB1
IB2
10IB1= --10IB2=IC=1A
For PNP, the polarity is reversed.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB633PE | 6 A, 85 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 2SD613PD | 6 A, 85 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 2SD655-E | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SD655E | 700 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SD655F | 700 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD613PF | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 85V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-220AB |
| 2SD617 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD620 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SD621 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:For H-Deflection Output with High Voltage |
| 2SD627 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:2SD627 |
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