參數(shù)資料
型號: 2SD2150T100QR
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 3000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù): 1/3頁
文件大?。?/td> 74K
代理商: 2SD2150T100QR
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2150T100Q 3000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2150T100QS 3000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2153T100/E 2000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2153T100/EU 2000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2153T100EV 2000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2150T100R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2150T100S 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2151 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type(For power switching)
2SD2151P 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | SOT-186
2SD2151Q 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | SOT-186