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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD2150T100QS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 3000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 74K |
| 代理商： | 2SD2150T100QS |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2153T100/E | 2000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2153T100/EU | 2000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2153T100EV | 2000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2153T100EU | 2000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2153T100UW | 2000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD2150T100R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2150T100S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2151 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type(For power switching) |
| 2SD2151P | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | SOT-186 |
| 2SD2151Q | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | SOT-186 |
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