參數(shù)資料
型號： 2SD2139
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon NPN triple diffusion planar type(For high-current amplification ratio, power amplification)
中文描述： 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, MT-4-A1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大小： 50K
代理商： 2SD2139
3
Power Transistors
2SD2139
R
th(t)
— t
10
–4
10
10
–3
10
–1
10
–2
1
10
3
10
2
10
4
0.1
1
10
100
10000
1000
Note: R
was measured at Ta=25C and under natural convection.
(1) Without heat sink
(2) With a 50
×
50
×
2mm Al heat sink
(1)
(2)
Time t (s)
T
t
(
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2145 2SD2145
2SD2151 Silicon NPN epitaxial planar type(For power switching)
2SD2155 NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
2SD2156 SILICON NPN TRIPLE-DIFFUSED PLANAR TYPE
2SD2156A SILICON NPN TRIPLE-DIFFUSED PLANAR TYPE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD21390PA 功能描述:TRANS NPN LF 60VCEO 3A MT-4 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2139O 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-221VAR
2SD2139P 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-221VAR
2SD2139Q 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-221VAR
2SD2139TA 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
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