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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1622-R |
| 廠商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ULTRA SMALL, PCP, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 89K |
| 代理商： | 2SD1622-R |
2SB1122 / 2SD1622
No.2040-2/5
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
DC Current Gain
hFE1VCE=(--)2V, IC=(--)100mA
100*
560*
hFE2VCE=(--)2V, IC=(--)1A
30
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)10V, IC=(--)50mA
150
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=(--)10V, f=1MHz
(12)8.5
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)500mA, IB=(--)50mA
(--180)120 (--500)300
mV
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=(--)500mA, IB=(--)50mA
(--)0.9
(--)1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10μA, IE=0A
(--)60
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)50
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)10μA, IC=0A
(--)5
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
(40)40
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
(300)350
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
(30)30
ns
*: The 2SB1122 / 2SD1622 are classified by 100mA hFE as follows:
Rank
R
S
T
U
hFE
100 to 200
140 to 280
200 to 400
280 to 560
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm (typ)
7007B-004
VR
RB
25V
--5V
+
50Ω
INPUT
OUTPUT
RL
50Ω
100μF
470μF
PW=20μs
IC=10IB1= --10IB2=500mA
(For PNP, the polarity is reversed)
IB1
D.C.≤1%
IB2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1122R | 1000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1122-T | 1000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1622-S | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1622R | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1122-U | 1000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1622S-TD-E | 制造商:SANYO 功能描述:mom 50V 1A 140 to 280 PCP Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 50V 1A SOT89 制造商:Sanyo 功能描述:0 |
| 2SD1622T-TD-E | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 50V 1A SOT89 |
| 2SD1623S-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1623T-TD | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述: |
| 2SD1623T-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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