參數(shù)資料
型號(hào): 2SD1209(K)
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: TO-92MOD, 3 PIN
文件頁數(shù): 5/8頁
文件大小: 45K
代理商: 2SD1209(K)
2SD1209(K)
3
0
0.4
0.8
1.2
50
Ambient Temperature Ta (
°C)
Collector
Power
Dissipation
P
C
(W)
Maximum Collector Dissipation Curve
100
150
1.0
0.5
0.2
0.1
5
2
10
5
2
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
Collector
Current
I
C
(A)
Area of Safe Operation
10
20
50
100
Ta = 25
°C
1 Shot Pulse
iC(peak)
PW
=
1
ms
10
ms
0.2
0.1
0
0.4
0.3
0.5
2
1
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
Collector
Current
I
C
(A)
Typical Output Characteristics
34
5
Ta = 25
°C
Pulse
IB = 0
2 A
4
6
8
10
12
14
16
0.01
105
104
103
0.05
0.02
Collector Current IC (A)
DC
Current
Transfer
Ratio
h
FE
DC Current Transfer Ratio vs.
Collector Current
0.1
0.2
0.5
1.0
VCE = 3 V
Pulse
Ta = –25°C
25
75
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1221-Y(2-7B2A) 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1222(2-7B2A) 3000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1224 1500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1227MQ 2000 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1229 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1209KTZ-E 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon NPN Epitaxial, Darlington
2SD1210 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR
2SD1211 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification)
2SD12110R 功能描述:TRANS NPN 120VCEO .5A TO-92L RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD12110S 功能描述:TRANS NPN 120VCEO .5A TO-92L RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR