參數(shù)資料
型號： 2SD1209(K)
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： TO-92MOD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 45K
代理商： 2SD1209(K)
2SD1209(K)
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
60
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
60
V
Emitter to base voltage
V
EBO
7V
Collector current
I
C
1A
Collector peak current
i
C(peak)
2A
Collector power dissipation
P
C
0.9
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
60
—
V
I
C = 0.1 mA, IE = 0
Collector cutoff current
I
CEO
—
100
AV
CE = 60 V, RBE = ∞
Emitter cutoff current
I
EBO
—
100
AV
EB = 7 V, IC = 0
DC current transfer ratio
h
FE
4000
—
V
CE = 3 V, IC = 0.5 A*
1
Collector to emitter saturation
voltage
V
CE(sat)
—
1.5
V
I
C = 500 mA, IB = 0.5 mA*
1
Base to emitter saturation
voltage
V
BE(sat)
—
2.0
V
I
C = 500 mA, IB = 0.5 mA*
1
Note:
1. Pulse test
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SD12110R 功能描述:TRANS NPN 120VCEO .5A TO-92L RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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