參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1026
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 15 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： MTO-3P, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大?。?/td> 318K
代理商： 2SD1026
RATINGS
SHINDENGEN
OUTLINE DIMENSIONS
Unit : mm
Case : MTO-3P
DarlingtonTransistor
15A NPN
2SD1026
(T15L10)
Absolute Maximum Ratings
Item
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
Storage Temperature
Tstg
-55`+150
Junction Temperature
Tj
+150
Collector to Base Voltage
VCBO
100
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
100
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
7V
Collector Current DC
IC
15
A
Collector Current Peak
ICP
22
A
Base Current DC
IB
1A
Base Current Peak
IBP
2A
Total Transistor Dissipation
PT
Tc = 25
100
W
Mounting Torque
TOR
(Recommended torque : 0.5Nmj
0.8
Nm
Electrical Characteristics (Tc=25)
Item
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB = 100V
Max 0.1
mA
ICEO
VCE = 100V
Max 0.1
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB = 7V
Max 5
mA
DC Current Gain
hFE
VCE = 3V, IC = 10A
Min 1,500
Max 30,000
Collector to Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC = 10A
Max 1.5
V
Base to Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IB = 20mA
Max 2.0
V
Thermal Resistance
jc
Junction to case
Max 1.25
/W
Transition Frequency
fT
VCE = 10V, IC = 1.5A
TYP 20
MHz
Turn on Time
ton
Max 2
IC = 15A
Storage Time
ts
IB1 = IB2 = 20mA
Max 5
s
RL = 2
Fall Time
tf
VBB2 = 4V
Max 3
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PDF描述
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