參數(shù)資料
型號： 2SC5702
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Epitaxial High Frequency Amplifier / Oscillator
中文描述： 硅外延npn型高頻放大器/振蕩器
文件頁數(shù)： 3/16頁
文件大?。?/td> 109K
代理商： 2SC5702
2SC5702
3
160
120
80
40
0
50
100
150
200
Maximum Collector Dissipation Curve
C
Ambient Temperature Ta (
°
C)
1
2
5
10
20
50
100
0
40
80
120
160
200
DC Current Transfet Ratio vs.
Collector Current
D
F
Collector Current I
C
(mA)
Collecter to Emitter Voltege V
CE
(V)
Collecter Voltage vs.
Collecter to Emitter Voltege
C
Base to Emitter Voltage V
BE
(V)
Collecter Voltage vs.
Base to Emitter Voltege
C
50
40
30
20
10
0
0
0.4
0.8
1.2
0.2
0.6
1.0
2
5
0
20
30
40
50
10
1
3
4
I
B
=10
μ
A
60
μ
A
110
μ
A
160
μ
A
210
μ
A
260
μ
A
310
μ
A
360
μ
A
410
μ
A
460
μ
A
V
CE
= 1 V
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2SC5706-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5706-P-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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