參數(shù)資料
型號： 2SC5702
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Epitaxial High Frequency Amplifier / Oscillator
中文描述： 硅外延npn型高頻放大器/振蕩器
文件頁數(shù)： 2/16頁
文件大?。?/td> 109K
代理商： 2SC5702
2SC5702
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Pc
15
V
Collector to emitter voltage
6
V
Emitter to base voltage
1.5
V
Collector current
50
mA
Collector power dissipation
80
mW
Junction temperature
Tj
150
°
C
°
C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
Electrical Characteristics
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
15
18.5
V
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
Collector cutoff current
I
CBO
I
CEO
I
EBO
h
FE
Cob
1
μ
A
V
CB
= 10 V, I
E
= 0
V
CE
= 4 V, R
BE
=
∞
V
EB
= 1.5V, I
C
= 0
V
CE
= 1 V, I
C
= 5 mA
V
= 1 V, I
E
= 0
f = 1 MHz
Collector cutoff current
1
mA
Emitter cutoff current
10
mA
DC current transfer ratio
80
120
160
V
Collector output capacitance
0.85
1.2
pF
Gain bandwidth product
f
T
6.5
8.0
GHz
V
= 1 V, I
C
= 5 mA
f = 1 MHz
Power gain
PG
11
13
dB
V
= 1 V, I
C
= 5 mA
f = 900 MHz
Noise figure
NF
1.05
1.9
dB
V
= 1 V, I
C
= 5 mA
f = 900 MHz
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