參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC4940
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 4 A, 550 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： ITO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 312K
代理商： 2SC4940
2SC3326
2003-03-27
2
Electrical Characteristics (Ta
==== 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
ICBO
VCB = 50 V, IE = 0
0.1
mA
Emitter cut-off current
IEBO
VEB = 25 V, IC = 0
0.1
mA
DC current gain
hFE
(Note)
VCE = 2 V, IC = 4 mA
200
1200
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
IC = 30 mA, IB = 3 mA
0.042
0.1
V
Base-emitter voltage
VBE
VCE = 2 V, IC = 4 mA
0.61
V
Transition frequency
fT
VCE = 6 V, IC = 4 mA
30
MHz
Collector output capacitance
Cob
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
4.8
7
pF
Turn-on time
ton
160
Storage time
tstg
500
Switching time
Fall time
tf
Duty cycle <
= 2%
130
ns
Note: hFE classification A: 200~700, B: 350~1200
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SC4940-7012 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=550 IC=4 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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2SC4940-7112 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=550 IC=4 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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