參數(shù)資料
型號： 2SC4940
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 4 A, 550 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： ITO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 312K
代理商： 2SC4940
Unit : mm
4A NPN
Copyright & Copy;2000 Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd
RATINGS
SHINDENGEN
OUTLINE DIMENSIONS
2SC4940
Case : ITO-220
Switching Power Transistor
Absolute Maximum Ratings
Item
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
Storage Temperature
Tstg
-55`150
Junction Temperature
Tj
150
Collector to Base Voltage
VCBO
1200
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
550
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
7V
Collector Current DC
IC
4A
Collector Current Peak
ICP
8
Base Current DC
IB
2
A
Base Current Peak
IBP
4
Total Transistor Dissipation
PT
30
W
Dielectric Strength
Vdis
Terminals to casd, AC 1 minute
2
kV
Mounting Torque
TOR
(Recommended torque)
0.5(0.3)
Nm
Electrical Characteristics (Tc=25)
Item
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
Collector to Emitter Sustaining Voltage
VCEO(sus)
IC = 0.1A
Min 550
V
Collector Cutoff Current
ICBO
rated VCBO
Max 0.1
mA
ICEO
rated VCEO
Max 0.1
Emitter Cutoff Current
IEBO
rated VEBO
Max 0.1
mA
DC Current Gain
hFE
VCE = 5V, IC = 2A
Min 10
hFEL
VCE = 5V, IC = 1mA
Min 10
Collector to Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC = 2A
Max 1.0
V
Base to Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IB = 0.4A
Max 1.5
V
Thermal Resistance
jc
Junction to case
Max 4.16 /W
Transition Frequency
fT
VCE = 10V, IC = 0.4A
TYP 10
MHz
Turn on Time
ton
IC = 2A
Max 0.8
Storage Time
ts
IB1 = 0.4A, IB2 = 0.8A
Max 3.0
s
Fall Time
tf
RL = 75, VBB2 = 4V
Max 0.3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC4942-AA1 1 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC4942-AA2 1 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC4944-GR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4944-Y 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4954-T1FB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC4940-7000 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=550 IC=4 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4940-7012 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=550 IC=4 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4940-7100 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=550 IC=4 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4940-7112 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=550 IC=4 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4941-7100 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=800 IC=6 HFE=15 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*