參數(shù)資料
型號： 2SC4226
廠商： NEC Corp.
英文描述： HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD
中文描述： 高頻低噪聲放大器NPN硅外延晶體管超小型模具
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 56K
代理商： 2SC4226
3
2SC4226
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C)
TOTAL POWER DISSIPATION
vs. AMBIENT TEMPERATURE
T
A
– Ambient Temperature – °C
P
T
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
V
BE
– Base to Emitter Voltage – V
I
C
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
V
CE
– Collector to Emitter Voltage – V
I
C
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
I
C
– Collector Current – mA
h
F
GAIN BANDWIDTH PRODUCT
vs. COLLECTOR CURRENT
I
C
– Collector Current – mA
f
T
INSERTION POWER GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
I
C
– Collector Current – mA
|
2
|
2
V
CE
= 3 V
f = 1.0 GHz
200
100
20
10
0
0.5
1.0
V
CE
= 3 V
25
20
15
10
5
0
5
10
V
CE
= 3 V
f = 1.0 GHz
200
100
50
20
10
0.5
1
5
10
50
V
CE
= 3 V
I
B
=
160
A
Free Air
0
50
100
150
μ
140
A
μ
120
A
μ
100
A
μ
80
A
μ
60
A
μ
40
A
μ
20
A
μ
20
10
5
2
1
0.5
1
5
10
50
15
10
5
0
0.5
1
5
10
50
100
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PDF描述
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