參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC4226
廠商： NEC Corp.
英文描述： HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD
中文描述： 高頻低噪聲放大器NPN硅外延晶體管超小型模具
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 56K
代理商： 2SC4226
2
2SC4226
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25
°
C)
Collector to Base Voltage
V
CBO
20
V
Collector to Emitter Voltage
V
CEO
12
V
Emitter to Base Voltage
V
EBO
3
V
Collector Current
I
C
100
mA
Total Power Dissipation
P
T
150
mW
Junction Temperature
T
j
150
°
C
Storage Temperature
T
stg
–65 to +150
°
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
TEST CONDITION
Collector Cutoff Current
I
CBO
1.0
μ
A
V
CB
= 10 V, I
E
= 0
Emitter Cutoff Current
I
EBO
1.0
μ
A
V
EB
= 1 V, I
C
= 0
DC Current Gain
h
FE
40
110
250
V
CE
= 3 V, I
C
= 7 mA
*
1
Gain Bandwidth Product
f
T
3.0
4.5
GHz
V
CE
= 3 V, I
C
= 7 mA
Feed back Capacitance
C
re
0.7
1.5
pF
V
CE
= 3 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
*
2
Insertion Power Gain
|S
21e
|
2
7
9
dB
V
CE
= 3 V, I
C
= 7 mA, f = 1 GHz
Noise Figure
NF
1.2
2.5
dB
V
CE
= 3 V, I
C
= 7 mA, f = 1 GHz
*1
*2
Pulse Measurement ; PW
≤
350
μ
s, Duty Cycle
≤
2 % Pulsed.
Measured with 3 terminals bridge, Emitter and Case should be grounded.
h
FE
Classification
Rank
R23
R24
R25
Marking
R23
R24
R25
h
FE
40 to 80
70 to 140
125 to 250
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PDF描述
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2SC4228 HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD
2SC4228-T1 HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD
2SC4228-T2 HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD
2SC4257 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor for 1200V/30mA High-Voltage Amplifier,High-Voltage Switching Applications(用于1200V/30mA 高電壓放大器應(yīng)用的NPN三路硅平面擴(kuò)散型晶體管)
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2SC4226R24 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SC4226T1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-323
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