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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC3957 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Epitaxial, Darlington |
| 中文描述： | npn型硅外延，達(dá)林頓 |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 33K |
| 代理商： | 2SC3957 |
2SC3957
4
1
30
3
300
10
100
1,000
Base Current I
B
(
μ
A)
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
Collector to Emitter Saturation Voltage vs.
Base Current
C
V
C
Ta = 25
°
C
Pulse
20 50 100
I
C
= 500 mA
200
5
20
2
10
100 200
500
50
1
Collector Current I
C
(mA)
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
Base to Emitter Saturation Voltage vs.
Collector Current
B
V
B
I
C
= 1,000 I
B
Ta = –50
–25
25
50
75
100
0
Pulse
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PDF描述 |
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