參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC2611
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Triple Diffused
中文描述： 硅npn型三重?cái)U(kuò)散
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 30K
代理商： 2SC2611
2SC2611
3
Base to emitter voltage V
BE
(V)
C
C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1
2
5
10
20
50
100
Typical Transfer Characteristics
V
CE
= 20 V
0
20
40
60
80
100
Collector current I
C
(mA)
D
F
1
2
5
10
20
50
100
V
CE
= 20 V
Pulse
Ta = 75
°
C
25
–25
DC Current Transfer Ratio vs.
Collector Current
0.1
0.2
0.5
1.0
2
5
10
Collector current I
C
(mA)
C
V
C
1
2
5
10
20
50
100
Collector to Emitter Saturation
Voltage vs. Collector Current
I
= 10 I
B
Pulse
T
C
=75
°
C
2
–5
0
20
40
60
80
100
Collector current I
C
(mA)
G
T
1
2
5
10
20
50
100
Gain Bandwidth Product vs.
Collector Current
V
CE
= 20 V
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PDF描述
2SC2612 Silicon NPN Triple Diffused
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2SC2613 Silicon NPN Triple Diffused
2SC2613 Power Bipolar Transistors
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參數(shù)描述
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2SC2618RDTR-E 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:0
2SC2619 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR SC-5930V .1A .15W ECB SURFACE MOUNT
2SC2620Q 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
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