參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC2611
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Triple Diffused
中文描述： 硅npn型三重?cái)U(kuò)散
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 30K
代理商： 2SC2611
2SC2611
2
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
300
—
—
V
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
300
—
—
V
I
C
= 1 mA, R
BE
=
∞
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
5
—
—
V
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
Collector cutoff current
I
CEO
h
FE
V
CE(sat)
—
—
1.0
μ
A
V
CE
= 250 V, R
BE
=
∞
V
CE
= 20 V, I
C
= 20 mA
I
C
= 20 mA, I
B
= 2 mA
DC current transfer ratio
30
—
200
Collector to emitter saturation
voltage
—
—
1.5
V
Gain bandwidth product
f
T
Cob
50
80
—
MHz
V
CE
= 20 V, I
C
= 20 mA
V
CB
= 20 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
Collector output capacitance
—
—
4.0
pF
0
50
100
150
Ambient Temperature T
C
(
°
C)
C
0.5
1.5
1.0
Maximum Collector Dissipation Curve
Collector to emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
0
Typical Output Characteristics
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
I
B
= 0
2
μ
A
4
6
8
10
12
14
16
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