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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC2570A |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
| 中文描述： | 高頻低噪聲放大器NPN硅外延晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 119K |
| 代理商： | 2SC2570A |
Data Sheet P10404EJ3V0DS00
3
2SC2570A
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= +25 °C)
free Air
T
T
600
400
200
0
50
100
Operating Ambient Temperature T
A
(
°
C)
150
200
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
D
F
200
100
50
20
10
0.5
1
5
Collector Current I
C
(mA)
10
50
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
V
CE
= 10 V
C
C
50
10
5
0.5
1
0.5
0.6
0.7
Base to Emitter Voltage V
BE
(V)
0.8
0.9
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
G
T
Z
)
7
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.5
1
5
Collector Current I
C
(mA)
10
70
50
GAIN BANDWIDTH PRODUCT vs.
COLLECTOR CURRENT
V
CE
= 10 V
f = 1.0 GH
Z
I
2
2
15
10
5
0
0.5
1
5
Collector Current I
C
(mA)
10
70
50
INSERTION GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC2570A-T | HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
| 2SC2570A(NE02132) | Discrete |
| 2SC2613K | Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴散NPN晶體管) |
| 2SC2618 | Silicon NPN Epitaxial |
| 2SC2619 | Silicon NPN Epitaxial |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC2570A(NE02132) | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:Discrete |
| 2SC2570A-A-E | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:NPN 制造商:Renesas Electronics 功能描述:NPN Bulk |
| 2SC2570A-T | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
| 2SC2577 | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
| 2SC2578 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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