參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1432
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 10 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： ISOLATED TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大?。?/td> 106K
代理商： 2SB1432
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1998
Document No. D14859EJ2V0DS00 (2nd edition)
Date Published April 2002 N CP(K)
Printed in Japan
SILICON POWER TRANSISTOR
2SB1432
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION)
FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
DATA SHEET
2002
The 2SB1432 is a Darlington power transistor that can be directly
driven from the output of an IC. This transistor is ideal for OA and FA
equipment such as motor and solenoid drivers.
In
addition,
a
small
resin-molded
insulation
type
package
contributes to high-density mounting and reduction of mounting cost.
FEATURES
High hFE due to Darlington connection
hFE
≥ 1,000 @VCE = 2.0 V, IC = 10 A)
Mold package that does not require an insulation board or insulation
bushing
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25
°°°°C)
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
Collector to base voltage
VCBO
100
V
Collector to emitter voltage
VCEO
100
V
Emitter to base voltage
VEBO
8.0
V
Collector current (DC)
IC(DC)
–
+10
A
Collector current (pulse)
IC(pulse)
PW
≤ 300
s,
duty cycle
≤ 10%
–
+20
A
Base current (DC)
IB(DC)
1.0
A
TC = 25
°C
30
W
Total power dissipation
PT
TA = 25
°C
2.0
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +150
°C
ORDERING INFORMATION
Part No.
Package
2SB1432
Isolated TO-220
(Isolated TO-220)
INTERNAL EQUIVALENT CIRCUIT
1. Base
2. Collector
3. Emitter
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PDF描述
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