參數(shù)資料
型號： 2SB1436
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-126FP, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 155K
代理商： 2SB1436
(96-141-B204)
FExternal dimensions (Units: mm)
211
Transistors
Low Frequency Transistor
(
*20V,*5A)
2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436
FFeatures
1) Low VCE(sat).
VCE(sat) =
*0.35V (Typ.)
(IC /IB =
*4A / *0.1A)
2) Excellent DC current gain charac-
teristics.
3) Complements the 2SD2098 /
2SD2118 / 2SD2097 / 2SD2166.
FStructure
Epitaxial planar type
PNP silicon transistor
相關PDF資料
PDF描述
2SB1386T100 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1436/R 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126FP
2SB1443TV2Q 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1446Q 5000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1446P 5000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1438 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTORSUB:2SA1315
2SB14380RA 功能描述:TRANS PNP 100VCEO 2A MT-2 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB14400RL 功能描述:TRANS PNP LF 50VCEO 2A MINI-PWR RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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2SB1440-R(TX) 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:
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