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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1407(S)D |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 2.5 A, 35 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 142K |
| 代理商： | 2SB1407(S)D |
2SB1407(L)/(S)
3
0
Case Temperature TC (°C)
Collector
power
dissipation
Pc
(W)
Maximum Collector Dissipation Curve
50
100
150
10
30
20
–0.1
–0.3
–1.0
–10
–3
Collector to emitter Voltage VCE (V)
Collector
Current
I
C
(A)
–1
–3
–10
–30
–100
Area of Safe Operation
IC (max)
iC (peak)
PW =
10 ms
Ta = 25
°C
1 Shot Pulse
DC
Operation
(T
C
=
25
°C)
1
ms
Collector to emitter Voltage VCE (V)
Collector
Current
I
C
(A)
0
Typical Output Characteristics
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
–1
–2
–3
–4
–5
IB = 0
Ta = 25
°C
–2 mA
–4
–10
–12
–14
–16
–6
–8
10
30
100
300
1,000
Collector current IC (A)
DC
current
transfer
ratio
h
FE
–0.03
–0.1
–0.3
–1.0
–3.0
DC Current Transfer Ratio vs.
Collector Current
VCE = –2 V
Ta = 25
°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1407(L) | POWER TRANSISTOR |
| 2SB1407(L)C | POWER TRANSISTOR |
| 2SB1407(S)C | POWER TRANSISTOR |
| 2SB1427T100 | 2000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1434R | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1412TL/Q | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1412TLP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1412TLQ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1412TLR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1412TRR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP LOW VCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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