參數(shù)資料
型號： 2SB1397
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 2 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PCP, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 86K
代理商： 2SB1397
2SB1397 / 2SD2100
No.3176-4/5
ITR09661
ITR09664
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0.8
0.6
0.4
0.2
1.2
1.0
1.4
1.3
ITR09663
A S O
1ms
DC
operation
10ms
ICP= --4A
IC= --2A
ICP=4A
IC=2A
--1.0
57
35
7
3
23
2
--10
--0.1
--1.0
7
2
5
3
7
5
3
7
2
5
3
2SB1397
2SD2100
300
μs
1ms
DC
operation
10ms
1.0
57
35
7
3
23
2
10
0.1
1.0
7
2
5
3
7
5
3
7
2
5
3
300
μs
ITR09659
ITR09660
--0.01
--0.1
7
57
5
3
27
5
3
23
2
--1.0
100
7
5
3
7
2
5
3
10
1.0
7
5
3
23
25
100
10
7
5
3
2
2SB1397
2SD2100
2SB1397
2SD2100
VCE=2V
f=1MHz
For PNP minus sign is omitted.
f T -- IC
Gain-Bandwidth
Product,
f
T
-
MHz
Collector Current, IC -- A
Cob -- VCB
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
PC -- Ta
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
Ambient Temperature, Ta --
°C
Collector
Dissipation,
P
C
-
W
A S O
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
Ta=25
°C
Single Pulse
When mounted on ceramic substrate (250mm2
0.8mm)
Ta=25
°C
Single Pulse
When mounted on ceramic substrate (250mm2
0.8mm)
2SB1397 / 2SD2100
When mounted on ceramic substrate
(250mm2
0.8mm)
VBE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
Base-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
BE
(sat)
-
V
Base-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
BE
(sat)
-
V
--0.1
7
--1.0
2
57
5
32
3
--10
3
5
2
3
2
5
7
--1.0
0.1
7
1.0
2
57
5
32
3
10
3
5
2
3
2
5
7
1.0
ITR09657
2SB1397
IC / IB=20
2SD2100
IC / IB=20
Ta= --25°C
75°C
ITR09658
25
°C
Ta= --25°C
75°C
25
°C
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PDF描述
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