參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1185
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Power Transistor (-60V, -3A)
中文描述： 功率晶體管（- 60V的，- 3A）條
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大?。?/td> 244K
代理商： 2SB1185
2SB1184 / 2SB1243
Transistors
3/3
0.01
0.05
0.1
0.02
0.5
1
0.2
5
10
2
1
5
10
2
50
100
20
500
1000
200
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
5V
3V
D
F
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
Fig.4 DC current gain vs.
collector current (
Ι
)
0.01
0.02
0.1
0.05
0.2
1
0.5
2
10
5
1
5
10
2
50
100
20
500
1k
200
V
CE
=
3V
D
F
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
Ta
=
100
°
C
25
°
C
25
°
C
Fig.5 DC current gain vs.
collector current (
ΙΙ
)
0.01
0.02
0.1
0.05
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
0.2
1
0.5
2
10
5
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
C
C
(
Ta
=
25
°
C
I
C
/I
B
=
50/1
20/1
10/1
Fig.6 Collector-emitter saturation
voltage vs.collector current
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
C
C
B
B
0.01
0.02
0.1
0.05
0.2
1
0.5
2
10
5
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
l
C
/l
B
=
10
Ta
=
25
°
C
25
°
C
100
°
C
Ta
=
100
°
C
25
°
C
25
°
C
V
BE(sat)
V
CE(sat)
Fig.7 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current
Base-emitter saturation voltage vs.
collector current
1
2
10
5
20
100
50
200
1000
500
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
EMITTER CURRENT : I
E
(mA)
T
T
(
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
5V
Fig.8 Gain bandwidth product vs.
emitter current
C
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : V
CB
(V)
0.2
0.1
0.5
10
5
2
1
50
20
100
1
20
10
5
2
50
200
100
500
1000
Ta
=
25
°
C
f
=
1MHz
I
E
=
0A
Fig.9 Collector output capacitance vs.
collector base voltage
Fig.10 Safe operation area
(2SB1184)
0.1
C
C
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : V
CE
(V)
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10.0
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
Tc
25
°
C
Single
nonrepetitive
pulse
10m
P
W
=
1m
DC
Fig.11 Safe operation area
(2SB1243)
0.1
C
C
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : V
CE
(V)
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10.0
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
Tc
°
C
Si25
nonrepetitive
pulse
I
C Max
. (Pulse)
P
w
=
1m
10m
DC
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PDF描述
2SB1244 LOW FREQUENCY HIGH VOLTAGE AMPLIFIER
2SB1245 LOW FREQUENCY HIGH VOLTAGE AMPLIFIER
2SB1257 Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor（Darlington）(硅PNP外延平面晶體管（達(dá)林頓）)
2SB1258 Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor（Darlington）(硅PNP外延平面晶體管（達(dá)林頓）)
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2SB1186 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-220FP -120V -1.5A 20W BCE
2SB1186A 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:POWER TRANSISTOR
2SB1186AE 功能描述:TRANS DRVR PNP 160V 1.5A TO220FP RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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2SB1187DEF 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
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