參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1182TL/Q
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 2000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： CPT3, SC-63, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 147K
代理商： 2SB1182TL/Q
1/3
www.rohm.com
○
c
2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2010.04 - Rev.C
Medium power transistor (
32V, 2A)
2SB1182 / 2SB1240
Features
Dimensions (Unit : mm)
1) Low VCE(sat).
VCE(sat) =
0.5V (Typ.)
(IC/IB =
2A / 0.2A)
2) Complements 2SD1758 / 2SD1862.
Structure
Epitaxial planar type
PNP silicon transistor
Absolute maximum ratings (Ta=25
C)
1 Single pulse, Pw=100ms
2 Printed circuit board, 1.7mm thick, collector copper plating 100mm2 or larger.
Parameter
VCBO
VCEO
VEBO
PC
Tj
Tstg
40
V
A(DC)
W (Tc
=25
°C)
W
°C
32
5
2
IC
A (Pulse)
3
10
1
1
2
2SB1182
2SB1240
150
55 to 150
Symbol
Limits
Unit
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Electrical characteristics (Ta=25
C)
Measured using pulse current.
Parameter
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
hFE
VCE(sat)
fT
Cob
Min.
40
32
5
120
100
50
1
390
0.8
VIC
= 50
μA
IC
= 1mA
IE
= 50
μA
VCB
= 20V
VEB
= 4V
IC/IB
= 2A/ 0.2A
VCE
= 5V, IE=0.5A, f=100MHz
VCB
= 10V, IE=0A, f=1MHz
V
μA
VCE
= 3V, IC= 0.5A
V
MHz
pF
Typ.
Max.
Unit
Conditions
0.5
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
ROHM : CPT3
EIAJ : SC-63
2SB1182
0.1
+0.2
0.1
+0.2
+
0.3
0.1
2.3
±0.2
2.3
±0.2
0.65
±0.1
0.9
0.75
1.0
±0.2
0.55
±0.1
9.5
±
0.5
5.5
1.5
±
0.3
2.5
1.5
2.3
0.5
±0.1
6.5
±0.2
5.1
C0.5
(3)
(2)
(1)
0.9
2SB1240
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
ROHM :
ATV
1.0
6.8
±0.2
2.5
±0.2
1.05
0.45
±0.1
2.54 2.54
0.5
±0.1
0.9
4.4
±
0.2
14.5
±
0.5
(1)
(2)
(3)
0.65Max.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1240TV2/Q 2000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1241TV2P 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1241TV2Q Si, POWER TRANSISTOR
2SB1241TV2/Q 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1181TL/P 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1182TLQ/R 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Transistor, PNP, Driver, -32V, -2A, CPT
2SB1182TLR 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 32V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1183 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANSISTOR CPT -40V -2A 15W BCE
2SB1183F5 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 40V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252
2SB1183TL 功能描述:達(dá)林頓晶體管 DVR PNP 40V 2A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*