參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1241TV2Q
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Si, POWER TRANSISTOR
封裝： ATV, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 89K
代理商： 2SB1241TV2Q
2SB1260 / 2SB1181 / 2SB1241
Transistors
Rev.B
1/3
Power Transistor (
80V, 1A)
2SB1260 / 2SB1181 / 2SB1241
Features
1) Hight breakdown voltage and high current.
BVCEO=
80V, IC = 1A
2) Good hFE linearty.
3) Low VCE(sat).
4) Complements the 2SD1898 / 2SD1863 /
2SD1733.
Structure
Epitaxial planar type
PNP silicon transistor
External dimensions (Unit : mm)
2SB1260
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
ROHM : MPT3
EIAJ : SC-62
0.1
+
0.2
0.05
+0.1
0.1
+0.2
0.1
(3)
(2)
(1)
4.0
1.0
±
0.2
0.5
±
0.1
2.5
3.0
±0.2
1.5
±0.1
1.5
±0.1
0.4
±0.1
0.5
±0.1
0.4
±0.1
0.4
1.5
4.5
1.6
±0.1
±
0.3
2SB1241
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
ROHM : ATV
1.0
6.8
±0.2
2.5
±0.2
1.05
0.45
±0.1
2.54 2.54
0.5
±0.1
0.9
4.4
±
0.2
14.5
±
0.5
(1)
(2)
(3)
0.65Max.
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
ROHM : CPT3
EIAJ : SC-63
2SB1181
0.1
+0.2
0.1
+0.2
+
0.3
0.1
2.3
±0.2
2.3
±0.2
0.65
±0.1
0.9
0.75
1.0
±0.2
0.55
±0.1
9.5
±
0.5
5.5
1.5
±
0.3
2.5
1.5
2.3
0.5
±0.1
6.5
±0.2
5.1
C0.5
(3)
(2)
(1)
0.9
Denotes hFE
Abbreviated
symbol: BE
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1 Single pulse, Pws=100ms
2 When mounted on a 40×40×0.7 mm ceramic board.
3 Printed circuit board, 1.7mm thick, collector copper plating 100mm2 or larger.
Parameter
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
80
V
A (DC)
W
°C
80
5
1
ICP
A (Pulse)
2
1
0.5
2
2
1
3
10
2SB1260
2SB1241, 2SB1181
2SB1181
150
55 to 150
Symbol
Limits
Unit
W (Tc=25
°C)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1241TV2/Q 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1181TL/P 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1241TV2/P 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1243TV2/P 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1244-B SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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