- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369078 > 2SB1151-T60-T (友順科技股份有限公司) LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE LARGE CURRENT PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1151-T60-T |
| 廠商： | 友順科技股份有限公司 |
| 英文描述： | LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE LARGE CURRENT |
| 中文描述： | 低集電極飽和電壓大電流 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 122K |
| 代理商： | 2SB1151-T60-T |
2SB1151
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
QW-R204-022,A
3
T Y PICAL CHARACT ERIS T ICS
25
20
15
10
5
0
0
50
100
150
200
250
P
D
- Ta
T
C
=Ta
INFINTE HEAT SINK
Ambient Temperature, T
a
(
)
P
D
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
Case Temperature, T
C
(
)
I
C
T
(
d
T
- T
C
S/bLmted
DsspaionLmte
Safe Oerating Area
C
C
A
Collector-Emitter Voltage, V
CE
V
-10
-5
-3
-1
-0.5
-0.3
-0.1
-1
-3
-5
-10
-30 -50
-100
I
C
(Pulse)MAX.
I
C
(DC)MAX.
2ms
10ms
200ms
DsspaionLmted
SbLmted
* SINGLE NONREPETIVE
PULSED T
a
=25
CURVES MUST BE DERATED
LINERLY WITH INCREASE
IN TEMPERATURE
V
C
V
CEO (SUS)
Reverse Bias Safe Operating Area
C
C
A
Collector-Emitter Voltage, V
CE
V
-10
-8
-6
-4
-2
0
-20
-40
-60
-80
-100
C
C
A
Collector-Emitter Voltage, V
CE
V
-10
-8
-6
-4
0
-2
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2.0
I
C
- V
CE
I
B
=20A
I
B
=-=-100mA
I
B
I
B
=-80mA
I
B
=-60mA
I
B
=-40mA
I
B
=-30mA
I
B
=-20mA
I
B
=-10mA
I
B
=0mA
h
FE
- I
C
D
F
1K
500
300
100
50
30
10
5
3
1
-0.01 -0.03
-0.1
-0.3
-1
-3
-10
V
CE
=-2V
V
CE
=-1V
Collector Current, I
C
(A)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1188-E-AB3-R | MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR |
| 2SB1188L-E-AB3-R | MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR |
| 2SB1188L-P-AB3-R | MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR |
| 2SB1188L-Q-AB3-R | MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR |
| 2SB1188L-x-AB3-R | MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1153 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TOP-3L -170V -15A 150W BCE |
| 2SB1154 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MATS.TRANS TOP-3FA-130V -10A 70W BCE |
| 2SB11540Q | 功能描述:TRANS PNP 80VCEO 10A TOP-3F RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1154P | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-247VAR |
| 2SB1154Q | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-247VAR |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。