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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SB1110 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon PNP Epitaxial(外延PNP晶體管) |
| 中文描述： | 硅外延進(jìn)步黨（外延進(jìn)步黨晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 34K |
| 代理商： | 2SB1110 |
2SB1109, 2SB1110
3
Base to emitter voltage V
BE
(V)
C
C
Typical Transfer Characteristics
–0.2
0
–0.6
–0.4
–1.0
–0.8
–2
–5
–10
–20
–50
–100
–1
T
a
°
C
2
–
V
CE
= –5 V
5
10
20
50
100
200
500
Collector current I
C
(mA)
D
F
–1
–2
–5
–10
–20
–50 –100
DC Current Transfer Ratio vs.
Collector Current
V
CE
= –5 V
Ta = 75
°
C
25
–25
–0.05
–0.1
–0.2
–0.5
–1.0
–2
–5
Collector current I
C
(mA)
–1
–2
–5
–10
–20
–50 –100
C
V
C
B
V
B
Saturation Voltage vs. Collector Current
V
BE (sat)
V
CE (sat)
l
C
= 10 l
B
25
25
75
75
T
C
= –25
°
C
T
C
= –25
°
C
5
10
20
50
100
200
500
Collector current I
C
(mA)
G
T
–2
–5
–10
–20
–50
Gain Gandwidth Product vs.
Collector Current
V
CE
= –10 V
0.5
1.0
2
5
10
20
50
Collector to base voltage V
CB
(V)
C
o
–1
–2
–5
–10
–20
–50 –100
Collector Output Capacitance vs.
Collector to Base Voltage
f
= 1 MHz
I
E
= 0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1114 | PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD |
| 2SB1115 | FILTER PLATE |
| 2SB1115A | FILTER PLATE |
| 2SB1115AYM | BJT |
| 2SB1115AYP | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1110B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126 |
| 2SB1110C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126 |
| 2SB1110D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126 |
| 2SB1114 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1114-T1-AZ(ZK) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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