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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SB1110 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon PNP Epitaxial(外延PNP晶體管) |
| 中文描述： | 硅外延進(jìn)步黨（外延進(jìn)步黨晶體管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 34K |
| 代理商： | 2SB1110 |
2SB1109, 2SB1110
Silicon PNP Epitaxial
Application
Low frequency high voltage amplifier complementary pair with 2SD1609 and 2SD1610
Outline
123
TO-126 MOD
1. Emitter
2. Collector
3. Base
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Ratings
Item
Symbol
2SB1109
2SB1110
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
Tj
–160
–200
V
Collector to emitter voltage
–160
–200
V
Emitter to base voltage
–5
–5
V
Collector current
–100
–100
mA
Collector power dissipation
1.25
1.25
W
Junction temperature
150
150
°
C
°
C
Storage temperature
Tstg
–45 to +150
–45 to +150
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1114 | PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD |
| 2SB1115 | FILTER PLATE |
| 2SB1115A | FILTER PLATE |
| 2SB1115AYM | BJT |
| 2SB1115AYP | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1110B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126 |
| 2SB1110C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126 |
| 2SB1110D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126 |
| 2SB1114 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1114-T1-AZ(ZK) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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