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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1091 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon PNP Triple Diffused |
| 中文描述： | 三重?cái)U(kuò)散硅進(jìn)步黨 |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大小： | 35K |
| 代理商： | 2SB1091 |
2SB1091
3
Collector to emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
0
–2
–4
–6
–8
–10
–1
–2
–3
–4
–5
T
= 25
°
C
Pulse
Typical Output Characteristics
I
B
= –0.5 mA
–1.0
–1.5
–2.0
–3.0
–2.5
P
c
0W
30
100
1,000
3,000
10,000
30,000
300
Collector current I
C
(A)
D
F
–0.1 –0.2
–0.5 –1.0
–2
–5
–10
DC Current Transfer Ratio vs.
Collector Current
V
CE
= –3 V
Pulse
Ta = 75
°
C
25
°
C
–25
°
C
–0.1
–0.2
–0.5
–1.0
–2
–5
–10
Collector current I
C
(A)
–0.1 –0.2
–0.5
–1.0
–2
–5
–10
C
V
C
B
V
B
Saturation Voltage vs. Collector Current
V
BE (sat)
V
CE (sat)
l
C
/l
B
= 200
500
500
200
Ta = 25
°
C
Pulse
0.1
0.2
0.5
1.0
2
5
10
Collector current I
C
(A)
S
μ
s
–0.1 –0.2
–0.5 –1.0
–2
–5
–10
Switching Time vs. Collector Current
Ta = 25
°
C
V
CC
= –30 V
I
C
B1
= –500 I
B2
t
f
t
on
t
stg
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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