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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1091 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon PNP Triple Diffused |
| 中文描述： | 三重擴(kuò)散硅進(jìn)步黨 |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 35K |
| 代理商： | 2SB1091 |
2SB1091
Silicon PNP Triple Diffused
Application
Low frequency power amplifier
Outline
TO-220AB
3.5 k
(Typ)
1
2
3
1. Base
2. Collector
(Flange)
3. Emitter
123
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
C(peak)
P
C
*
1
Tj
–60
V
Collector to emitter voltage
–60
V
Emitter to base voltage
–7
V
Collector current
–8
A
Collector peak current
–12
A
Collector power dissipation
40
W
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
Note:
1. Value at T
C
= 25
°
C.
Tstg
–55 to +150
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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