參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1072L
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon PNP Triple Diffused
中文描述： 三重?cái)U(kuò)散硅進(jìn)步黨
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 35K
代理商： 2SB1072L
2SB1072(L), 2SB1072(S)
3
Maximum Collector Dissipation
Curve
30
20
10
0
50
100
Case temperature T
C
(
°
C)
150
C
C
Area of Safe Operation
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
i
C(peak)
I
C(max)
PW=1 m
1m
10
μ
s
D(
C
5
°
C
Ta = 25
°
C
1 Shot Pulse
–1
–5
–2
–20
–100
–10
–50
C
C
1
μ
s
20
10
–3
–1.0
–0.3
–0.1
–0.03
I
B
= –0.3 mA
–0.4
–0.5
–0.6
–0.9
–1.0
Typical Output Characteristics
–5
–4
–3
–2
–1
0
–2
–4
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
–6
–8
–10
C
C
P
C
= 20 W
V
CE
= –3 V
DC Current Transfer Ratio
vs. Collector Current
30000
10000
3000
1000
300
100
30
–0.1
–0.3
Collector current I
C
(A)
D
F
–1.0
–10
–3
T
C
= 75
°
C
T
C
= –25
°
C
T
C
= 25
°
C
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PDF描述
2SB1072S Silicon PNP Triple Diffused
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