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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SB1027 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon PNP Epitaxial |
| 中文描述： | 硅外延進(jìn)步黨 |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 30K |
| 代理商： | 2SB1027 |
2SB1027
4
Collector to Emitter Saturation Voltage vs.
Collector Current
Collector Current I
C
(mA)
C
V
C
(
–1
–10
–100
–1,000
–0.01
–0.1
–1.0
–10
I
C
= 10 I
B
Pulse
Gain Bandwidth Product vs.
Collector Current
10
30
100
300
1,000
Collector Current I
C
(mA)
G
T
–10
–30
–100
–300
–1,000
V
= –5 V
Pulse
Collector Output Capacitance vs.
Collector to Base Voltage
C
o
Collector to Base Voltage V
CB
(V)
1
3
10
30
100
–1
–3
–10
–30
–100
f = 1 MHz
I
E
= 0
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| 2SB1028EL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT |
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