參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1018A-Y
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 7 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： 2-10R1A, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 173K
代理商： 2SB1018A-Y
2SB1018A
2005-02-02
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (PCT Process)
2SB1018A
High Current Switching Applications
Power Amplifier Applications
High collector current: IC = 7 A
Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 4 A)
Complementary to 2SD1411A
Maximum Ratings (Tc = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
100
V
Collector-emitter voltage
VCEO
80
V
Emitter-base voltage
VEBO
5
V
Collector current
IC
7
A
Base current
IB
1
A
Ta = 25°C
2.0
Collector power
dissipation
Tc = 25°C
PC
30
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-10R1A
Weight: 1.7 g (typ.)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1018A-O 7 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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