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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SB1012(K) |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon PNP Epitaxial |
| 中文描述： | 硅外延進(jìn)步黨 |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 33K |
| 代理商： | 2SB1012(K) |
2SB1012(K)
4
–0.01
–0.03
–0.1
–0.3
–1.0
–3
–10
Collector current I
C
(A)
–0.03
–0.1
–0.3
–1.0
–3
C
V
C
B
V
B
Saturation Voltage vs. Collector Current
V
BE (sat)
V
CE (sat)
Ta = 25
°
C
Pulse Test
l
C
/l
B
= 200
500
200
500
0.01
0.03
0.1
0.3
1.0
3
10
Collector current I
C
(A)
S
μ
s
–0.03
–0.1
–0.3
–1.0
–3
Switching Time vs. Collector Current
Ta = 25
°
C
V
CC
= –30 V
I
C
B1
= –500 I
B2
t
f
t
on
t
stg
0.1
0.3
1.0
3
10
30
100
Time t
T
θ
j
°
C
0.1
0.1
1.0
1.0
10
10
100 (s)
100 (ms)
Transient Thermal Resistance
0.1–100 ms
0.1–100 s
T
C
= 25
°
C
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PDF描述 |
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