參數(shù)資料
型號： 2SAR554PT100
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 1500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： MPT3, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 237K
代理商： 2SAR554PT100
1/4
www.rohm.com
○
c
2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2009.12 - Rev.A
Midium Power Transistors (-80V / -1.5A)
2SAR554P
Structure
Dimensions
(Unit : mm)
PNP Silicon epitaxial planar transistor
Features
1) Low saturation voltage, typically
VCE (sat) = -0.4V (Max.) (IC / IB= -500mA / -25mA)
2) High speed switching
Applications
Driver
Inner circuit
(Unit : mm)
Package
Taping
Code
T100
Basic ordering unit (pieces)
1000
2SAR554P
Absolute maximum ratings
(Ta = 25
C)
Symbol
Limits
Unit
Collector-base voltage
VCBO
-80
V
Collector-emitter voltage
VCEO
-80
V
Emitter-base voltage
VEBO
-6
V
DC
IC
-1.5
A
Pulsed
ICP
-3
A
PD
0.5
W
PD
2W
Junction temperature
Tj
150
C
Range of storage temperature
Tstg
-55 to 150
C
*1 Pw=10ms, Single Pulse
*2 Each terminal mounted on a recommended land.
*3 Mounted on a ceramic board. (40x40x0.7mm)
Packaging specifications
Type
Parameter
Collector current
Power dissipation
*1
*2
*3
Abbreviated symbol : MH
(1)
(2)
(3)
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB0621Q 1000 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SB0621S 1000 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SB0709AQ 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
2SB0709AS 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
2SB0710AQ 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
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參數(shù)描述
2SAR554R 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Midium Power Transistors (-80V / -1.5A)
2SAR554RTL 功能描述:TRANS PNP 80V 1.5A TSMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 25mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:340MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-96 供應(yīng)商器件封裝:TSMT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SAR572D3TL1 功能描述:POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA 制造商:rohm semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 100mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:300MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SAR572DGTL 功能描述:TRANS PNP 30V 5A CPT 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 100mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:CPT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SAR573D3TL1 功能描述:POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA 制造商:rohm semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:300MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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