參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA854S
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Medium Power Transistor
中文描述： 中等功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 75K
代理商： 2SA854S
2SA854S
Transistors
z
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
Rev.A
2/3
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
Parameter
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE (sat)
f
T
Cob
Min.
40
32
5
200
1
1
390
0.6
V
I
C
=
100
μ
A
I
C
=
1mA
I
E
=
100
μ
A
V
CB
=
20V
V
EB
=
4V
I
C
/I
B
=
500mA/
50mA
V
CE
=
3V, I
C
=
100mA
V
CE
=
5V, I
E
=
20mA, f
=
100MHz
V
CB
=
10V, I
E
=
0A, f
=
1MHz
V
V
μ
A
μ
A
120
V
MHz
pF
8
Typ.
Max.
Unit
Conditions
DC current transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
z
Packaging specifications and h
FE
Package
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
T146
3000
h
FE
QR
2SA854S
Type
h
FE
values are classified as follows :
Item
Q
R
h
FE
120~270
180~390
z
Electrical characteristic curves
Fig.1 Grounded emitter propagation
-0.2
0
-500
-200
-100
-50
-20
-10
-5
-2
-1
-0.5
-0.2
-0.1
-0.4-0.6-0.8-1.0-1.2-1.4-1.6-1.8-2.0-2.2
V
CE
=
3V
C
C
m
BASE TO EMITTER VOLTAGE : V
BE
(
V)
Ta
=
100
°
C
25
°
C
55
°
C
Fig.2 Grounded emitter output
characteristics ( )
-1
-40
-80
-3
0
-20
-60
-100
0
-2
-4
-5
C
C
m
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : V
CE
(
V)
Ta
=
25
°
C
1mA
I
B
=
0
A
0.1mA
0.2mA
0.3mA
0.4mA
0.5mA
0.6mA
0.7mA
0.8mA
0.9mA
Ι
-200
-400
-10
-5
0
-100
-300
-500
0
C
C
m
Ta
=
25
°
C
I
B
=
0
A
0.5mA
1.0mA
1.5mA
2.0mA
2.5mA
3.0mA
3.5mA
4.0mA
4.5mA
5.0mA
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : V
CE
(
V)
Fig.3 Grounded emitter output
characteristics ( )
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA872
2SA872AD 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset
2SA872AE TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92
2SA872D 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset
2SA872E TRANSISTOR | BJT | PNP | 90V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SA854STPQ 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 32V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA854STPR 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 32V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA857 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-92-150V -.05A .5W ECB
2SA858 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-92-150V -.05A .5W ECB
2SA866 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-92-30V -.1A .3W EBC
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*