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參數(shù)資料
| 型號： | 2SA2186 |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Current Switching Applications |
| 中文描述： | 進(jìn)步黨硅外延平面晶體管大電流開關(guān)應(yīng)用 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 46K |
| 代理商： | 2SA2186 |
2SA2186
No. A0269-2/4
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Ratings
typ
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
Unit
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-On Time
Storage Time
Fall Time
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
IC=--10
μ
A, IE=0A
IC=--1mA, RBE=
∞
IE=--10
μ
A, IC=0A
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
--50
--50
--6
V
V
V
ns
ns
ns
35
200
24
Package Dimensions
unit : mm
7519-003
Switching Time Test Circuit
1
2
3
6.9
0.5
0.6
4
4
1
1
2.5
1.45
1.0
1
0.9
0.45
2.54
2.54
1 : Emitter
2 : Collector
3 : Base
SANYO : NMP
VR
RB
VCC= --25V
VBE=5V
+
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
100
μ
F
470
μ
F
PW=20
μ
s
D.C.
≤
1%
IB1
IC
IB2
IC=10IB1= --10IB2= --0.7A
IC -- VCE
-50mA
IC -- VBE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
hFE -- IC
C
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
fT -- IC
C
Collector Current, IC -- A
D
G
Collector Current, IC -- A
--2.0
--1.8
--1.6
--1.2
--1.4
--0.8
--1.0
--0.4
--0.6
--0.2
0
--0.4
0
--0.8
--1.2
--1.6
--2.0
--0.2
--0.6
--1.0
--1.4
--1.8
IT10526
--8mA
--6mA
--10mA
--20mA
-30mA
IB=0mA
--2mA
--4mA
T7
°
C
2
°
C
-
°
C
VCE= --2V
--2.0
--1.8
--1.0
--0.8
--0.2
--0.4
--0.6
--1.2
--1.4
--1.6
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.2
--1.0
IT10527
-40mA
Ta=75
°
C
25
°
C
--25
°
C
7
100
1000
7
5
3
2
3
5
--0.01
3
2
5
--0.1
7
3
2
5
7
2
3
--1.0
VCE= --2V
IT10528
100
2
7
5
1000
7
5
3
--0.01
2
5
7
3
2
5
7
3
2
3
--0.1
--1.0
IT10529
VCE= --10V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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