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參數(shù)資料
| 型號： | 2SA608S |
| 廠商： | 江蘇長電科技股份有限公司 |
| 英文描述： | TRANSISTOR (PNP) |
| 中文描述： | 晶體管（進步黨） |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 44K |
| 代理商： | 2SA608S |
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-92S
Plastic-Encapsulate Transistors
2SA608S
TRANSISTOR (PNP)
FEATURES
Power dissipation
P
CM
: 300 mW (Tamb=25
℃
)
Collector current
I
CM
: -100 mA
Collector-base voltage
V
(BR)CBO
: -40 V
Operating and storage junction temperature range
T
J
, T
stg
: -55
℃
to +150
℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25
℃
unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test conditions
MIN
TYP
MAX
UNIT
Collector-base breakdown voltage
V
(BR)CBO
Ic=-100
μ
A, I
E
=0
-40
V
Collector-emitter breakdown voltage
V
(BR)CEO
Ic=-1mA, I
B
=0
-30
V
Emitter-Base breakdown voltage
V
(BR)EBO
I
E
=-100
μ
A, I
C
=0
-5
V
Collector cut-off current
I
CBO
V
CB
=-25V, I
E
=0
-1
μ
A
Emitter cut-off current
I
EBO
V
EB
=-4V, I
C
=0
-1
μ
A
DC current gain
h
FE
V
CE
=-6V, I
C
=-1mA
60
560
Collector-emitter saturation voltage
V
CE
(sat)
I
C
=-50mA, I
B
=-5mA
-0.5
V
Transition frequency
f
T
V
CE
=-6V, I
C
=-10mA
180
MHz
Collector output capacitance
Cob
V
CB
=-6V, f=1MHz
7
pF
CLASSIFICATION OF h
FE
Rank
D
E
F
G
Range
60-120
100-200
160-320
280-560
TO-92S
1. EMITTER
2. COLLECTOR
3. BASE
123
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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