參數(shù)資料
型號: 2SA2181
廠商: Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述: PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 50V / 15A High-Speed Switching
中文描述: 進(jìn)步黨硅外延平面晶體管50V / 15A條高速開關(guān)
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代理商: 2SA2181
2SA2181
No.8527-2/4
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Ratings
typ
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
Unit
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-ON Time
Storage Time
Fall Time
VCE(sat)
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
IC=--7.5A, IB=--375mA
IC=--7.5A, IB=--375mA
IC=--100
μ
A, IE=0A
IC=--1mA, RBE=
IE=--100
μ
A, IC=0A
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
--250
--500
--1.2
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
--50
--50
--6
80
300
45
Package Dimensions
unit : mm
7508-002
Switching Time Test Circuit
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
C
IC -- VCE
-100mA
-120mA
-140mA
-160mA
C
IT09987
0
--2.0
--0.5
--1.0
--1.5
0
--1
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--8
--9
--10
--11
--12
--13
--14
--15
IB=0mA
--50mA
--20mA
--100
mA
--200mA
--150mA
--250mA
-300mA
-350mA
-400mA
-450mA
-0m
-0m
-0m
-0A
IT09988
0
--1.0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
IB=0mA
--40mA
--20mA
--10mA
--60
mA
--80mA
-10m
-0m
-5m
-0m
VR
RL
VCC= --25V
VBE=5V
IC=20IB1= --20IB2= --7A
+
+
50
INPUT
OUTPUT
RB
100
μ
F
470
μ
F
PW=20
μ
s
D.C.
1%
IB1
IB2
10.0
3.2
4.5
2.8
1
1
5
1
3
7
2
1.6
1.2
0.7
0.75
2.55
2.55
1
2
3
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO : TO-220ML
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PDF描述
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2SA2182(STA4,Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 230V 1A Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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