參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA2154
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE, 2-1E1A, FSM, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大小： 135K
代理商： 2SA2154
2SA2154
2005-03-23
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
2SA2154
General-Purpose Amplifier Applications
High voltage and high current
: VCEO = 50 V, IC = 100 mA (max)
Excellent hFE linearity
: hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.)
High hFE
: hFE = 120~400
Complementary to 2SC6026
Lead (Pb) free
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cutoff current
ICBO
VCB = 50 V, IE = 0
0.1
A
Emitter cutoff current
IEBO
VEB = 5 V, IC = 0
0.1
A
DC current gain
hFE (Note)
VCE = 6 V, IC = 2 mA
120
400
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
IC = 100 mA, IB = 10 mA
0.18
0.3
V
Transition frequency
fT
VCE = 10 V, IC = 1 mA
80
MHz
Collector output capacitance
Cob
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
1.6
pF
Note: hFE classification Y (F): 120~240, GR (H): 200~400
( ) marking symbol
Marking
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-1E1A
Weight: 0.0006 g (typ.)
fSM
1.BASE
2.EMITTER
3.COLLECTOR
0.2±
0.
05
0.1±0.05
3
0.8±0.05
1.0±0.05
0.15±
0.05
0.
35
±0
.0
5
0.
6±
0.
05
1
2
0.1±0.05
0.48
+0
.0
2
-0
.0
4
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
50
V
Collector-emitter voltage
VCEO
50
V
Emitter-base voltage
VEBO
5
V
Collector current
IC
100
mA
Base current
IB
30
mA
Collector power dissipation
PC
50
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55~150
°C
Type Name
hFE Rank
8F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA2154-GR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA2154MFV-GR 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA2154MFV 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA2174G 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA2179 13 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SA2154CT 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:General-Purpose Amplifier Applications
2SA2154CT-GR(TPL3) 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA -50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA2154CT-GR,L3F 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:CST3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SA2154CT-Y(TPL3) 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA -50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA2154-GR 功能描述:兩極晶體管 - BJT INCORRECT MOUSER P/N RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*