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參數(shù)資料
| 型號： | 2SA2025 |
| 廠商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 3000 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SPA, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 38K |
| 代理商： | 2SA2025 |
2SA2025
No.6404–2/4
Continued on preceding page.
Switching Time Test Circuit
+
50
INPUT
OUTPUT
VR
1k
RL
VCC=--5V
220
F
470
F
VBE=5V
PW=20
s
IB1
IB2
D.C.
≤1%
--20IB1= 20IB2= IC=--1.5A
r
e
t
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Pl
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S
0
1s
n
--2.0
--1.8
--1.6
--1.4
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
IC -- VCE
--2mA
--4mA
--8mA
--12mA
--14mA
--10mA
--6mA
--16mA
IB=0
IT01709
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.2
--1.0
IC -- VBE
IT01711
VCE=--2V
--200
--180
--160
--140
--120
--100
--80
--60
--40
--20
0
--1
--2
--3
--4
--5
IC -- VCE
--0.1mA
--0.2mA
--0.3mA
--0.4mA
--0.6mA
--0.5mA
--0.8mA
--0.7mA
IB=0
IT01710
1000
7
5
3
2
100
7
5
3
2
7
5
3
2
10
1.0
--0.01
23
5 7 --0.1
2
3
57
2
3
57
--1.0
--10
hFE -- IC
IT01712
VCE=--2V
Collector
Current,
I C
–A
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA2025 | 3000 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2034 | 2000 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2048TLR | 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2056 | Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2058 | 1500 mA, 10 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SA2026 | 制造商:ISAHAYA 制造商全稱:Isahaya Electronics Corporation 功能描述:FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE |
| 2SA2026_10 | 制造商:ISAHAYA 制造商全稱:Isahaya Electronics Corporation 功能描述:FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE |
| 2SA2027 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
| 2SA2028 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer type |
| 2SA202800L | 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 1A S-MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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