參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA2016-AB3-R
廠商： UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
中文描述： 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： SOT-89, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 120K
代理商： 2SA2016-AB3-R
2SA2016
PNP PLANAR TRANSISTOR
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
2 of 6
QW-R208-018.B
ABS OLUT E MAX IMUM RAT INGS
(Ta=25°
С
)
PARAMETER
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
RATINGS
-50
-50
-6
UNIT
V
V
V
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Dissipation Mounted on a ceramic board
(250mm
2
*0.8mm)
Collector Dissipation (Tc=25
°
C)
Collector Current
Collector Current
Base Current
Junction Temperature
Storage Temperature
Note Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.
Pc
1.3
W
Pc
Ic
Icp
I
B
T
J
T
STG
3.5
-7
-10
-1.2
150
W
A
A
A
°
C
°
C
-55 to +150
ELECT RICAL CHARACT ERIS T ICS
(Tc=25
)
PARAMETER
SYMBOL
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
TEST CONDITIONS
Ic= -10μA, I
E
=0
Ic= -1mA, R
BE
=
∞
Ic=0, I
E
= -10μA
V
CB
= -40V, I
E
=0
V
EB
= -4V, Ic=0
V
CE
= -2V, Ic= -500mA
Ic= -3.5A, I
B
= -175mA
Ic= -2A, I
B
= -40mA
Ic= -2A, I
B
= -40mA
V
CE
= -10V, Ic= -500mA
V
CB
= -10V, f=1MHz
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
MIN
-50
-50
-6
200
TYP MAX UNIT
-0.1
-0.1
560
-0.23 -0.39
-0.24 -0.40
-0.83 -1.2
290
50
40
225
25
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to- Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Collector Cut-Off Current
Emitter Cut-Off Current
DC Current Gain
V
V
V
μA
μA
V
V
V
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
CE(SAT)
Base-Emitter Saturation Voltage
Gain Bandwidth Product
Output Capacitance
Turn-on Time
Storage Time
Fall Time
V
BE(SAT)
f
T
Cob
t
ON
t
STG
t
F
MHz
pF
ns
ns
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA2016L-AB3-R PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
2SA2017 Power Transistor(功率晶體管)
2SA2068E SMALL-SIGNAL TRANSISTOR
2SA2068F SMALL-SIGNAL TRANSISTOR
2SA2068G SMALL-SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SA2016L-AB3-R 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
2SA2016-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 7A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA2017 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
2SA2018 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:Low Frequency Transistor
2SA2018_1 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Low frequency transistor
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